抗蚀图案增厚材料及抗蚀图案形成工艺和半导体器件及其制造工艺

抗蚀图案增厚材料及抗蚀图案形成工艺和半导体器件及其制造工...

专利权的终止

摘要

本发明提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ArF准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突破曝光极限。本发明还提供一种抗蚀图案形成工艺以及一种半导体器件制造工艺，其中可以适当地利用本发明的抗蚀图案增厚材料。

基本信息

专利标题：

抗蚀图案增厚材料及抗蚀图案形成工艺和半导体器件及其制造工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1821871A

申请号：

CN200610005432.7

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-01-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

野崎耕司小泽美和并木崇久

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双

优先权：

CN200610005432.7

主分类号：

G03F7/004

IPC分类号：

G03F7/004 G03F7/038 G03F7/09 G03F7/20 H01L21/027