薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法
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摘要
本发明涉及一种薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物，其特征在于该薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物包含：具有酸解离性溶解抑制基团且通过酸的作用碱溶解性增加的树脂成分(A)、通过照射放射线产生酸的酸产生剂成分(B)和具有放射线吸收能力的化合物(C)，其中，所述树脂成分(A)具有由羟基苯乙烯衍生的结构单元(a1)和所述结构单元(a1)的羟基的氢原子被酸解离性溶解抑制基团取代的结构单元(a2)，所述酸解离性溶解抑制基团含有上述通式(Ⅱ)表示的酸解离性溶解抑制基团(Ⅱ)为主要成分。式中，X表示脂肪族环式基团、芳香族环式烃基或碳原子数为1～5的烷基，R1表示碳原子数为1～5的烷基，或X和R1也可以各自独立地表示碳原子数为1～5的亚烷基且X的末端与R1的末端键合，R2表示碳原子数为1～5的烷基或氢原子。
基本信息
专利标题 ：
薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101198906A
申请号 ：
CN200680003206.3
公开（公告）日 ：
2008-06-11
申请日 ：
2006-02-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木贵子田中健米村幸治藤田正一
申请人 ：
东京应化工业株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱丹
优先权 ：
CN200680003206.3
主分类号 ：
G03F7/039
IPC分类号 ：
G03F7/039 G03F7/004 G03F7/40 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/039
可光降解的高分子化合物，例如，正电子抗蚀剂
法律状态
2011-08-24 ：
授权
2008-08-06 ：
实质审查的生效
2008-06-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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