抗蚀剂下层膜形成用组合物
公开
摘要
本发明提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂。(式中，Ar表示可以被取代的碳原子数为6～20的芳香族基团)。
基本信息
专利标题 ：
抗蚀剂下层膜形成用组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503032A
申请号 ：
CN202080070907.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
绪方裕斗西卷裕和中岛诚
申请人 ：
日产化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
田欣
优先权 ：
CN202080070907.9
主分类号 ：
G03F7/11
IPC分类号 ：
G03F7/11 G03F7/16 G03F7/20 G03F7/26 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/09
以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层
G03F7/11
具有覆盖层或中间层的，例如，胶层
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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