本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含有环氧基的化合物、与包含1个与环氧基具有反应性的部位的杂环化合物的反应生成物；以及溶剂。优选上述杂环化合物所包含的杂环选自呋喃、吡咯、吡喃、咪唑、吡唑、唑、噻吩、噻唑、噻二唑、咪唑烷、噻唑烷、咪唑啉、二烷、吗啉、二嗪、噻嗪、三唑、四唑、二氧戊环、哒嗪、嘧啶、吡嗪、哌啶、哌嗪、吲哚、嘌呤、喹啉、异喹啉、奎宁环、色烯、噻蒽、吩噻嗪、吩嗪、呫吨、吖啶、吩嗪和咔唑。