含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法
公开
摘要
本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的目的是提供于多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，可形成图案形状良好的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为含有：下列通式(A‑1)表示的化合物及热交联性聚硅氧烷。[化1]R1表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基，R2表示氢原子、乙酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、萘甲酰基、蒽甲酰基，R3表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基、或下列通式(A‑2)表示的基团。[化2]
虚线表示原子键，R1、R2与前述相同。
基本信息
专利标题 ：
含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594657A
申请号 ：
CN202111466982.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郡大佑甲斐佑典前田和规
申请人 ：
信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111466982.X
主分类号 ：
G03F7/075
IPC分类号 ：
G03F7/075 G03F7/09 G03F1/76
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/075
含硅的化合物
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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