光致抗蚀剂的去除方法以及半导体元件的制造方法
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摘要
一种增进离子注入掩模用的光致抗蚀剂层的去除率的方法，此方法是在形成光致抗蚀剂层之前先对衬底进行前处理工艺，此前处理工艺例如是一种等离子体工艺。此方法可应用于半导体元件的制造中，以避免光致抗蚀剂暴裂、维持此半导体元件的完整性，以及增进离子注入掩模用的光致抗蚀剂层的去除率。
基本信息
专利标题 ：
光致抗蚀剂的去除方法以及半导体元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959944A
申请号 ：
CN200510119329.0
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄文贤杨闵杰廖俊雄
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510119329.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 G03F7/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-04-15 ：
授权
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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