半导体抗反射层的制作方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种半导体抗反射层的制作方法，包括抗反射层的生长和光刻两个步骤，在所述抗反射层生长和光刻两个步骤之间，还包括一个对抗反射层进行的O2等离子处理的步骤。本发明通过加入O2等离子处理的步骤，消除了在带NH3的ARL上，SiON与DUV光刻胶直接接触产生的footing或scumming现象，并且对SiO2具有较高的湿法选择比，该方法简便易行，可以投入大批量生产。
基本信息
专利标题 ：
半导体抗反射层的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983520A
申请号 ：
CN200510111415.7
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王剑敏
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111415.7
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/31 G03F7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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