抗反射层基板及其制作方法

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摘要

本发明是有关于一种具有抗反射层的基板，以及其制作方法，其中方法包括：(a)提供一基板；(b)沉积一非晶硅层(amorphous Silicon)于基板上；以及(c)以一蚀刻液蚀刻非晶硅层及基板，且非晶硅层是被蚀刻液所移除。

基本信息

专利标题：

抗反射层基板及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1971950A

申请号：

CN200510124842.9

公开（公告）日：

2007-05-30

申请日：

2005-11-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

林烱暐邓建甫陈易良

申请人：

大同股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台北市中山区中山北路3段22号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

优先权：

CN200510124842.9

主分类号：

H01L31/20

IPC分类号：

H01L31/20 H01L31/0232 H01L31/0352 H01L21/306 C23F1/24

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法律状态

2010-09-15 ：

授权

2010-08-25 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007014502
IPC(主分类) : H01L 31/20
专利申请号 : 2005101248429
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 大同股份有限公司
变更后权利人 : 大同股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾台北市中山区中山北路3段22号
变更后权利人 : 中国台湾台北市中山区中山北路3段22号
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 大同大学
登记生效日 : 20100716

2007-07-25 ：

实质审查的生效

2007-05-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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