阵列基板及其制作方法
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摘要
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括衬底基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、栅极层、钝化层以及电极走线层。本发明通过在阵列基板上设置有多个晶体管单元，可实现在每一晶体管单元中形成两个沟道开关或者形成一个沟道开关及一个电容，并且纵向设置栅极层，提高了弯折柔韧性，并降低了晶体管单元的阈值电压发生漂移的情况。
基本信息
专利标题 ：
阵列基板及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112397527A
申请号 ：
CN202011269221.0
公开（公告）日 ：
2021-02-23
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
CN112397527B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
阳宏
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
高杨丽
优先权 ：
CN202011269221.0
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/77
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法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-03-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2021-02-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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