阵列基板及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，阵列基板包括：基底；形成在基底上的栅极和扫描线，栅极与扫描线导电连接；覆盖栅极与扫描线的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层；形成在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，第二氧化物半导体层覆盖在第一氧化物半导体层上，部分第一氧化物半导体层从第二氧化物半导体层的两侧分别露出；形成在第一氧化物半导体层上的源极与漏极，源极与漏极分别与从第二氧化物半导体层两侧露出的第一氧化物半导体层直接接触连接。本发明的阵列基板及其制作方法有效地提高了TFT的开态电流。
基本信息
专利标题 ：
阵列基板及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530413A
申请号 ：
CN202210159201.0
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钟德镇邹忠飞房耸井晓静
申请人 ：
昆山龙腾光电股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路1号
代理机构 ：
上海波拓知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡光仟
优先权 ：
CN202210159201.0
主分类号 ：
H01L21/77
IPC分类号 ：
H01L21/77 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/77
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
