阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置
公开
摘要
本申请实施例公开了一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置，阵列基板包括基板、栅极和氧化物半导体层，栅极和氧化物半导体层设于基板的同侧，栅极和氧化物半导体层在基板的投影至少部分重叠，且栅极和氧化物半导体层间隔设置；其中，氧化物半导体层的材料包括改性金属元素，改性金属元素在所有金属元素中的占比由栅极朝氧化物半导体层的方向逐渐递减，可以解决金属氧化物薄膜晶体管的稳定性差和迁移率低的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582893A
申请号 ：
CN202210230045.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李珊吴伟肖军城
申请人 ：
广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄锐
优先权 ：
CN202210230045.2
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/77 G02F1/1368
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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