阵列基板、制作方法及显示装置
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种阵列基板、制作方法及显示装置，阵列基板包括相邻第一区域和第二区域，在第一区域中第一低温多晶硅层、中间膜层和第二低温多晶硅层沿第一方向堆叠设置；在第二区域中第一低温多晶硅层和衬底基板之间设置有支撑柱，第一低温多晶硅层被支撑柱的顶起部分包括第一连接部，第二低温多晶硅层包括位于第二区域与第一连接部连接的第二连接部；第二连接部沿第一方向的延伸距离，小于第一低温多晶硅层和第二低温多晶硅层在第一区域的间距。如此设计，能够缩小过孔的深度甚至省去过孔后直接相连，从而使第二低温多晶硅层在制作过程中，在ELA设备进行激光照射时吸收更多激光能量，改善晶化质量；在导体化后保证电阻正常，提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
阵列基板、制作方法及显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373771A
申请号 ：
CN202111638998.4
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜建华赵梦王超璐吴昊吕杨关峰赵磊
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
安凯
优先权 ：
CN202111638998.4
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/77
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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