TFT基板及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种TFT基板及其制作方法。本申请实施例提供的TFT基板，通过设置功能层包括栅极、第一遮光区、第二遮光区、源极接触区以及漏极接触区，并设置源极通过栅极绝缘层上的源极接触孔与源极接触区电性连接，漏极通过栅极绝缘层上的漏极接触孔与漏极接触区电性连接，使得有源层的侧面被源极和漏极遮挡，有源层的背面被功能层遮挡，也即是说，对有源层的侧面和背面进行全方位的遮光保护，避免光线从侧面和背面照射至有源层导致有源层中产生光生载流子，提升了TFT器件的光照稳定性。
基本信息
专利标题 ：
TFT基板及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447119A
申请号 ：
CN202210064257.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史文
申请人 ：
广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨艇要
优先权 ：
CN202210064257.8
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/12 H01L21/77 G02F1/1368
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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