封装基板制作方法及封装基板
公开
摘要
本发明公开一种封装基板制作方法及封装基板，包括提供一底板，底板设置有第一线路层，第一线路层设置有至少一个需求点，需求点的一侧设置有第一待避让区；在底板上加工第一中间绝缘层，第一中间绝缘层包括第一中间绝缘介质体，第一中间绝缘介质体覆盖于第一待避让区；在第一中间绝缘层上加工第一中间布线层，第一中间布线层包括第一中间线路，第一中间线路部分设置在第一中间绝缘介质体上，且连接于需求点；在第一中间布线层上加工第一绝缘层，第一绝缘层层叠在底板上且覆盖于第一中间布线层；在第一绝缘层上加工线路增层。本发明能够在相邻两层线路层之间加工第一中间布线层，实现局部错层布线，可以实现更薄的增层结构，有利于提高布线密度。
基本信息
专利标题 ：
封装基板制作方法及封装基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582729A
申请号 ：
CN202210069428.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈先明冯磊黄本霞林文健黄高
申请人 ：
珠海越亚半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
俞梁清
优先权 ：
CN202210069428.6
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/52 H01L21/56 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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