集成无源器件封装结构及其制作方法和基板
授权
摘要
本申请公开了一种集成无源器件封装结构及其制作方法和基板，该方法包括步骤：提供带有埋芯空腔和金属柱的有机框架，在有机框架上表面层压至少一层第一介质，并对至少一层第一介质进行光刻形成开口，开口对应设置在埋芯空腔上方；通过开口贴装电子元件至埋芯空腔，电子元件包括上电极和下电极，分别位于埋芯空腔的上部和下部；层压第二介质至埋芯空腔内部以及第一介质上表面并固化；减薄第一介质和第二介质，露出上电极、下电极以及金属柱的上下表面；电镀金属，形成线路层，线路层与上电极、下电极和金属柱连通。本申请可以提升单位面积内无源器件的排布密度，缩短布线距离，实现无源器件的集成封装。
基本信息
专利标题 ：
集成无源器件封装结构及其制作方法和基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111863627A
申请号 ：
CN202010609666.2
公开（公告）日 ：
2020-10-30
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN111863627B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
陈先明冯磊黄本霞谢炳森洪业杰
申请人 ：
珠海越亚半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
俞梁清
优先权 ：
CN202010609666.2
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-11-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20200629
申请日 : 20200629
2020-10-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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