无源器件结构
专利权的终止
摘要
一种方法包括直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料；在该陶瓷材料上形成第二导电材料；以及烧结该陶瓷材料。一种方法包括直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料；在该陶瓷材料上形成第二导电材料，使得该陶瓷材料设置在第一导电材料和第二导电材料之间；以足够的温度进行热处理以烧结该陶瓷材料并且形成第二导电材料的薄膜；以及使用不同的导电材料涂覆第一导电材料和第二导电材料中的至少一个的暴露表面。一种器件包括第一电极和第二电极；以及该第一电极和该第二电极之间的陶瓷材料，其中该陶瓷材料被直接烧结在第一电极和第二电极中的一个上。
基本信息
专利标题 ：
无源器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101032192A
申请号 ：
CN200580033160.5
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
坚吉兹·帕兰独兹Y·闵
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200580033160.5
主分类号 ：
H05K1/16
IPC分类号 ：
H05K1/16 H01L27/01
法律状态
2014-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101590515891
IPC(主分类) : H05K 1/16
专利号 : ZL2005800331605
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20111214
终止日期 : 20131013
号牌文件序号 : 101590515891
IPC(主分类) : H05K 1/16
专利号 : ZL2005800331605
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20111214
终止日期 : 20131013
2011-12-14 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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