集成无源器件的结构
授权
摘要
本实用新型提出了一种集成无源器件的结构，该集成无源器件的结构主要是衬底层、设置于衬底层上并用于形成电容器件的电容部、设置于衬底层的上方并用于形成电感器件的电感线圈部、用于形成绝缘层且设置于衬底层上的介电层、用于形成导电连接部的导电连接层等构成。其中，介电层用于覆盖电容部和电感线圈部，且至少有部分未覆盖电容部和电感线圈部的待连接区域。并且，导电连接层部分覆盖于所述介电层上，且至少一部分覆盖该待连接区域，以形成与电容部和电感线圈部相连的第一接触电极。与现有技术相比，本申请可以简化集成无源器件的导电连接部的结构，从而简化工艺，降低制造成本。
基本信息
专利标题 ：
集成无源器件的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122706323.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
CN216698356U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
徐建卫
申请人 ：
赫芯（浙江）微电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市平湖市钟埭街道宏建路2368号4号厂房101室
代理机构 ：
上海百一领御专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方珩
优先权 ：
CN202122706323.0
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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