一种基于热氧化法制作的集成无源器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种基于热氧化法制作的集成无源器件，包括：衬底；第一介质层，其位于所述衬底上；以及电容，包括：电容下电极，其位于所述第一介质层中；金属氧化物层，其在第一介质层中位于所述电容下电极上；以及电容上电极，其位于所述金属氧化层上。该集成无源器件采用易形成致密氧化层的金属作为集成无源器件中电容器件的电极，热氧法制作的氧化银、氧化铝或氧化锌作为介质层，可以有效降低介质层厚度，提高电容器件的电容值，而且实施简单、效果明显。
基本信息
专利标题 ：
一种基于热氧化法制作的集成无源器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123247599.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
CN216528949U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张宏伟陈天放
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张东梅
优先权 ：
CN202123247599.3
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/01
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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