本发明提供一种集成器件及其制作方法。该集成器件的制作方法包括：在基底上形成多层金属材料层，多层金属材料层包括图形化的第一金属材料层，对第一金属材料层进行图形化时，同时去除第一晶体管区和第一电阻形成区上的第一金属材料层；接着在多层金属材料层上形成图形化的掩模层，以掩模层为掩模，刻蚀多层金属材料层，以于第一晶体管区、第二晶体管区、第一电阻形成区和第二电阻形成区上分别形成第一栅极、第二栅极、第一电阻结构和第二电阻结构，其中，剩余的第一金属材料层作为第一金属层，第二栅极和第二电阻结构包括第一金属层。如此，可以低成本的在一基底上形成结构不同的电阻结构。本发明还提供利用上述制作方法形成的集成器件。