半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备，其中半导体集成电路器件包括：半导体衬底，具有在其中设置的至少一对相邻的第一区域，以及在相邻的一对第一区域之间设置的第二区域；其中，在所述第一区域中具有Dummy图案。该半导体集成电路器件，通过在低的图案密度区域中增加Dummy图案，避免半导体集成电路器件在经过化学机械抛光后，表面出现蝶形缺陷，进而提高了半导体集成电路器件制备过程中的效率和良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497028A
申请号 ：
CN202111482407.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李恋恋都安彦田国良杨红罗军王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
谷波
优先权 ：
CN202111482407.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/3105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211206
申请日 : 20211206
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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