基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法
公开
摘要
本发明公开了基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法，包括微纳光学器件和掩模版，掩模版最小图形单元尺寸为4微米，线条每次加宽或缩窄0.1微米，微纳光学元件的相位数据根据设计目标的光场能量分布进行计算，入射光束为高斯光束或平行光束，微纳光学器件使用光学玻璃基板制作，其对波长为532纳米或633纳米的光具有较高透过率，蚀刻采用感应耦合等离子体刻蚀技术，在刻蚀一定深度后，在玻璃基板材料侧壁生成一层钝化层，在形成钝化保护层后，重复刻蚀过程，刻蚀气体将同时刻蚀纵向的玻璃基板与钝化层，本制作方法基于现有的集成电路制作机台和工艺，引入的掩模数据技术可以有效的改善微纳光学器件制作质量。
基本信息
专利标题 ：
基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114371598A
申请号 ：
CN202111559438.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
华卫群尤春李嘉
申请人 ：
无锡中微掩模电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道202号
代理机构 ：
无锡苏元专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张剑锋
优先权 ：
CN202111559438.X
主分类号 ：
G03F7/00
IPC分类号 ：
G03F7/00 G03F1/70
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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