封装框架及其制作方法和基板

授权

摘要

本申请公开了一种封装框架及其制作方法和基板，该方法包括步骤：提供基础框架，在所述基础框架上表面电镀金属和填充介质形成金属柱和埋芯区，所述介质、所述金属柱和所述埋芯区表面齐平；在齐平表面上形成内置线路层、中间金属柱、中间埋芯区、埋芯区延展层和中间埋芯区延展层，所述中间埋芯区与所述内置线路层和所述中间金属柱连通，去除所述基础框架，对所述埋芯区和所述中间埋芯区进行刻蚀，形成多个埋芯空腔。本申请可根据嵌埋芯片或元件的厚度预设不同深度大小的埋芯空腔，提高了封装的整理利用率，降低了多芯片封装框架的厚度，实现了产品的集成化和轻薄化。

基本信息

专利标题：

封装框架及其制作方法和基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111816569A

申请号：

CN202010740053.2

公开（公告）日：

2020-10-23

申请日：

2020-07-28

授权号：

CN111816569B

授权日：

2022-04-08

发明人：

陈先明谢炳森黄本霞冯磊洪业杰

申请人：

珠海越亚半导体股份有限公司

申请人地址：

广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司

代理人：

俞梁清

优先权：

CN202010740053.2

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48 H01L23/498

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/48

应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器

法律状态

2022-04-08 ：

授权

2020-11-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20200728

2020-10-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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