芯片背面连接的封装基板及其制作方法
公开
摘要
本发明公开了芯片背面连接的封装基板的制作方法，包括：准备具有器件放置口框的聚合物支撑框架；在器件放置口框的底部贴装芯片，形成封装层；施加补强板；形成第一绝缘层和在其表面的第一铜箔，在第一绝缘层表面内形成第一线路层与芯片的第一端子面连通；移除补强板；在部分封装层形成凹槽；通过等离子蚀刻的方式由凹槽减薄封装层形成开窗露出芯片第二端子面或芯片背面；在第一绝缘层内形成导通孔，在第一铜箔表面形成第二线路层，在聚合物支撑框架的上表面以开窗的底部和侧壁形成第三线路层，第一线路层和第二线路层通过导通孔连通，芯片的第二端子面或背面与第三线路层连通。还公开了芯片背面连接的封装基板。
基本信息
专利标题 ：
芯片背面连接的封装基板及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628256A
申请号 ：
CN202210089763.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈先明冯磊黄本霞董艳林冯进东黄高洪业杰
申请人 ：
珠海越亚半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
李翔
优先权 ：
CN202210089763.2
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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