半导体装置及其制造方法、半导体装置结构
授权
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法、半导体装置结构，所述半导体装置包括具有功能图案的多个层，该半导体装置是至少部分由该功能图案构成。该多个层中至少一层进一步包含非功能图案，其中该非功能图案是于该至少一层的功能图案之邻，以形成该至少一层的一组合图案，使得该组合图案的特征密度更平均。本发明所述半导体装置及其制造方法、半导体装置结构，其非功能图案可平衡功能装置，提供各装置层一个相对来说更一致的元件配置，且进一步增进了特征尺寸的一致性。而且，由于特征可靠性和一致性的改善，也可以使得蚀刻偏差得以减少，进而可以增进装置的整体良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法、半导体装置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1866520A
申请号 ：
CN200610058459.2
公开（公告）日 ：
2006-11-22
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田丽钧张弥彰林晃生韩郁琪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610058459.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/528 H01L21/82 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-09-09 ：
授权
2007-01-17 ：
实质审查的生效
2006-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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