半导体结构及其制造方法
授权
摘要
本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成一罩幕层于一基材上；形成一隔离区于基材中，以隔离一主动区与一虚设主动区；移除主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第一开口，第一开口暴露出基材；移除虚设主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第二开口，第二开口暴露出基材；以及同时在第一开口与第二开口中的基材上进行一选择性磊晶成长步骤。藉由第二开口的导入，而磊晶成长发生于第二开口中，图案密度更为均匀，因此可降低图案负载效应。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794442A
申请号 ：
CN200510123360.1
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡邦彦张志坚杨婷羽李资良陈世昌
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510123360.1
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2008-07-23 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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