半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体结构及其制造方法。提供了半导体结构和方法。根据本公开，一种半导体结构，包括：第一鳍结构和第二鳍结构，在衬底之上；第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征，该第一源极/漏极特征设置在第一鳍结构之上，并且该第二源极/漏极特征设置在第二鳍结构之上；电介质特征，设置在第一源极/漏极特征之上；以及接触件结构，形成在第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征之上。接触件结构电耦合到第二源极/漏极特征并且通过电介质特征与第一源极/漏极特征分隔开。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520191A
申请号 ：
CN202210036327.9
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡忠浩黄谚钧方婷姚佳贤李振铭杨复凯王美匀
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202210036327.9
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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