半导体结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构可包括基底、设置于基底上的磊晶层、设置于磊晶层中的导电部件以及设置于导电部件的复数个侧壁上的扩散阻障层。导电部件具有高于磊晶层的突出部。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111146198A
申请号 ：
CN201811311036.6
公开（公告）日 ：
2020-05-12
申请日 ：
2018-11-06
授权号 ：
CN111146198B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
李芳名傅胜威李宗晔
申请人 ：
世界先进积体电路股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙乳笋
优先权 ：
CN201811311036.6
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20181106
申请日 : 20181106
2020-05-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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