提供了一种混合半导体结构，它包括水平半导体器件和垂直碳纳米管晶体管，其中，垂直碳纳米管晶体管和水平半导体器件具有至少一个共用的节点。此至少一个共用的节点可以包括例如FET的漏、源、或栅电极或者双极晶体管的发射极、收集极、或基极。还提供了一种制造本发明混合半导体结构的方法，此混合半导体结构在垂直碳纳米管晶体管与水平半导体器件之间具有至少一个共用的节点。