半导体装置的制造方法及半导体装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供一种半导体装置的制造方法和由此而得到的半导体装置。本发明的半导体装置至少形成一个晶体管(10)而构成，该晶体管(10)在单一的晶粒(大致单晶粒42)内具有源区域(11)及漏区域(12)、和沟道区域(13)而构成。沟道区域(13)，蚀刻大致单晶粒(42)而形成为排列多个散热片形状的沟道部(15)的状态而形成。在各沟道部(15)的各个表面部设置栅绝缘膜(16)，覆盖各沟道部(15)的各个栅绝缘膜(16)的一部分而设有栅电极(14)。本发明能够使沟道宽度充分地变大，谋求由此而得到晶体管的作用的提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835194A
申请号 ：
CN200610008880.2
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岛田浩行
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610008880.2
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-12-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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