半导体装置的制造方法
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摘要
一种半导体装置的制造方法，可提高导通时的驱动力，包含：使用具有规定开口的掩模层，在由基板(1)和漏区(2)构成的半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽(15)的工序；至少与沟槽(15)的侧壁相连接，且从该沟槽(15)露出地形成埋入区域(11)的工序；与半导体基体以及埋入区域(11)相连接地形成异质半导体层(30)的工序；对异质半导体层(30)进行图案形成，形成异质半导体区域(3)的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101038878A
申请号 ：
CN200610059812.9
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林哲也星正胜下井田良雄田中秀明
申请人 ：
日产自动车株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610059812.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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