半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体装置的制造方法，在现有的半导体装载的制造方法中，在形成LOCOS氧化膜后，使用LOCOS氧化膜的鸟嘴形成漏极扩散层，因此，存在漏极扩散层的位置精度差的问题。在本发明的半导体装置的制造方法中，在外延层(4)上面堆积多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。构图为在形成LOCOS氧化膜(14)的区域残留多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。而且，将多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)的台阶作为对准标记使用，形成作为漏极区域的扩散层(11)。然后，形成LOCOS氧化膜(14)。通过该制造方法，可不受LOCOS氧化膜的形状影响，而高位置精度地形成扩散层(11)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1767160A
申请号 ：
CN200510107637.1
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小仓尚
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510107637.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2021-09-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20200929
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20200929
2009-03-11 ：
授权
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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