半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体装置，其包括：一半导体基底，该半导体基底包括多个导电通道区；多个金属硅化物，于该半导体基底上；一应变诱发层，于这些金属硅化物上，该应变诱发层具有一大体低浓度的单核双原子化学键。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790734A
申请号 ：
CN200510115965.6
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴振诚黄玉莲卢永诚
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510115965.6
主分类号 ：
H01L29/02
IPC分类号 ：
H01L29/02 H01L29/78 H01L21/02 H01L21/336
法律状态
2008-10-29 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
