本发明的半导体装置的制造方法，依次包括：MOS构造形成工序，在半导体基体的第一主面侧通过栅极绝缘膜形成栅电极后，形成层间绝缘膜使其覆盖该栅电极；金属层形成工序，在所述层间绝缘膜的上方形成与所述栅电极相连接的状态的金属层；电子束照射工序，在将所述金属层作为接地电位的状态下从所述第一主面侧或第二主面侧对所述半导体基体进行电子束照射从而在所述半导体基体的内部生成晶格缺陷；金属层分割工序，将所述金属层分割成多个电极；以及退火处理工序，对所述半导体基体进行加热从而修复所述半导体基体的所述晶格缺陷。根据本发明的半导体装置的制造方法，其能够制造出：相比不实施电子束照射工序，寄生内置二极管的恢复损耗更小的，并且具有与不实施电子束照射工序的情况下同等的阈值电压V_TH特性的半导体装置。