半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明是关于一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包括：一基底，其上设置有一栅极堆叠结构，其中该栅极堆叠结构包括依序设置于该基底的一部分上的一高介电常数介电层与一导体层；一抗氧化层，覆盖该堆叠栅极结构的侧壁；一绝缘间隔物，覆盖于该栅极堆叠结构的一侧壁以及该抗氧化层；以及一对源/漏极区，对称地设置于邻近该堆叠栅极结构的该基底内，其中该抗氧化层抑制于该栅极堆叠结构与该基底之间的氧化侵入效应。本发明所述半导体装置及其制造方法，避免了前述形成于高介电常数介电材料与基底间的氧化侵入效应的缺陷，因而可避免现有的鸟嘴效应的氧化侵入物的形成。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815703A
申请号 ：
CN200510134452.X
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨铭和麦凯玲姚高吉陈世昌
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510134452.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/283 H01L29/78 H01L29/51
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2008-08-13 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
