半导体装置及其制造方法
专利权的视为放弃
摘要
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种能够防止漏极衬底接触之间导通的、可靠性较高的半导体装置及其制造方法。通过在高浓度p型衬底区域7和衬底表面区域的低浓度N型漏极区域2之间设置中浓度P型衬底区域13，来抑制从漏极区域延伸过来的耗尽层的扩大。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808726A
申请号 ：
CN200510118636.7
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫田里江沟口修二
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510118636.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/739 H01L29/36 H01L21/336 H01L21/331
法律状态
2010-03-10 ：
专利权的视为放弃
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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