半导体装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要
半导体装置具备半导体衬底、在上述半导体衬底的一个主面中设置的沟槽栅极部、将上述半导体衬底的上述一个主面的上方覆盖的表面电极、以及使上述沟槽栅极部与上述表面电极绝缘的层间绝缘膜，上述半导体衬底具有第1导电型的漂移区域、在上述漂移区域的上方设置的第2导电型的体区域、在上述体区域的至少一部分的下方设置的第1导电型的势垒区域、以及从上述半导体衬底的上述一个主面延伸至上述势垒区域并与上述表面电极肖特基接触的第1导电型的柱区域，上述表面电极是含硅的合金，上述层间绝缘膜的顶面和侧面所成的角是锐角。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114287053A
申请号 ：
CN201980099708.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2019-08-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桑野聪西胁刚古村雄太
申请人 ：
株式会社电装
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN201980099708.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/47 H01L29/739 H01L29/78 H01L29/861 H01L29/868 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20190826
申请日 : 20190826
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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