半导体装置及其制造方法

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摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，具体地，涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述MOSFET包括：基底，具有源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区，所述基底具有在其上的包括三种元素的外延的III‑V族材料；源电极，位于源区上方；漏电极，位于漏区上方；以及在沟道区中的晶体氧化物层，包括形成外延的III‑V族材料上的氧化物，外延的III‑V族材料包括三种元素。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107768445A

申请号：

CN201710469652.3

公开（公告）日：

2018-03-06

申请日：

2017-06-20

授权号：

CN107768445B

授权日：

2022-05-17

发明人：

马克·S·罗德尔王维一秦晓叶罗伯特·M·华莱士

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

刘灿强

优先权：

CN201710469652.3

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/20 H01L21/336

法律状态

2022-05-17 ：

授权

2019-09-03 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20170620

2018-03-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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