半导体装置的制造方法
授权
摘要
用抗蚀保护膜(22)保护表面电极(7)和聚酰亚胺保护膜(8)的表面。接着，在将BG胶带(23)贴附于抗蚀保护膜(22)的状态下对半导体基板(10)进行背面磨削而减薄到产品厚度(t)。接下来，在剥离BG胶带(23)之后，在半导体基板(10)的磨削后的背面的表面层形成预定的扩散区。接下来，以100℃以上的温度将抗蚀保护膜(22)加热，使抗蚀保护膜(22)中的水蒸发。接下来，从半导体基板(10)的背面照射激光(25)，进行半导体基板(10)的背面侧的扩散区的杂质活化。接着，除去半导体基板(10)的正面的抗蚀保护膜(22')。这样，在对半导体晶片的一个主面进行用于杂质活化的热处理时，能够抑制保护半导体晶片的另一个主面的抗蚀保护膜(22')的变质和/或剥落、变形。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110114861A
申请号 ：
CN201880005380.4
公开（公告）日 ：
2019-08-09
申请日 ：
2018-06-07
授权号 ：
CN110114861B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
吉村尚泷下博宫原清一
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
张欣
优先权 ：
CN201880005380.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/265 H01L21/329 H01L29/739 H01L29/78 H01L29/861 H01L29/868
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-09-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20180607
申请日 : 20180607
2019-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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