半导体装置及其制造方法
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摘要
本发明涉及一种具有高介电常数材料的半导体装置，包括一基底，以及形成于基底上的高介电常数材料，此高介电常数材料最好是非结晶形的HfSiON。在一较佳的实施例中，此高介电常数材料含有氮成分。在一较佳的实施例中，氮化硅层是使用喷射气相沉积法形成于高介电常数材料上的。在此JVD氮化层沉积之后，此层具有较低的电荷陷阱密度，并且具有与氧化物或氮氧化物相当的载流子迁移率以及更佳的等效氧化层厚度。本发明还可包含第二含氮层，形成于高介电常数材料以及栅电极之间，作为扩散阻障层之用。本发明可减少形成于高介电常数材料中的氧空缺所造成的问题，因此而减少费米能级钉扎效应。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815755A
申请号 ：
CN200510132207.5
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王志豪蔡庆威陈尚志
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510132207.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/51 H01L21/336 H01L21/283
法律状态
2011-10-26 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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