半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供半导体装置及其制造方法，为降低导通状态的电流经路的电阻，而提高栅极电极下方的π部的杂质浓度。但是，用于沟道区域具有从底面到侧面变大的曲率，故杂质浓度过高，则在π部深的位置，耗尽层未充分接触，存在耐压劣化的问题。在栅极电极下方设置n型杂质区域。通过将栅极长度设为沟道区域的深度以下，形成n型杂质区域的侧面与相邻的沟道区域的侧面大致垂直的接合面。由此，耗尽层向衬底深度方向均匀地扩展，故可确保规定的耐压。另外，由于夹着栅极电极的沟道区域的间隔在表面及底面均匀，故可提高n型杂质区域的杂质浓度，谋求低导通电阻化。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835249A
申请号 ：
CN200610004201.4
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐山康之冈田哲也及川慎石田裕康栉山和成
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200610004201.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2014-03-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581061019
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100042014
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20130128
号牌文件序号 : 101581061019
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100042014
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20130128
2009-09-02 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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