抗辐射半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及抗辐射半导体器件，其电特性不会由于射线辐照而退化。本发明提出用以确定某种导电类型而掺入半导体内的杂质应选用同一元素的热中子吸收截面较小的那种同位素，例如，用原子质量数为11的硼原子作为受主杂质，用原子质量数为123的锑Sb作为施主杂质。当用射线辐照时，该杂质所经受的原子核反应大大小于其它同位素，所以，其杂质浓度变化甚小，电特性也不会发生变化。
基本信息
专利标题 ：
抗辐射半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103269A
申请号 ：
CN85103269.9
公开（公告）日 ：
1986-10-29
申请日 ：
1985-04-29
授权号 ：
CN85103269B
授权日 ：
1987-02-04
发明人 ：
樱井博司
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番地
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85103269.9
主分类号 ：
H01L29/167
IPC分类号 ：
H01L29/167
相关图片
法律状态
1996-06-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1987-08-12 ：
授权
1987-02-04 ：
审定
1986-10-29 ：
公开
1985-10-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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