具有窄辐射光谱的半导体发光器件
授权
摘要
本发明涉及一种半导体发光器件。当从电极向有源层注入电流时产生辐射。一对包层设置为夹持有源层，所述包层具有比有源层带隙宽的带隙。光吸收层设置在一对包层中至少一个包层外部。光吸收层具有比有源层带隙宽且比包层带隙窄的带隙。能够使辐射光的光谱扩展变窄。
基本信息
专利标题 ：
具有窄辐射光谱的半导体发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1758457A
申请号 ：
CN200510107621.0
公开（公告）日 ：
2006-04-12
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
笹仓贤川口惠藏小野华子
申请人 ：
斯坦雷电气株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510107621.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2008-07-30 ：
授权
2006-06-07 ：
实质审查的生效
2006-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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