本发明提供一种半导体器件，对利用从背面进行的FIB加工等实施的不正当解析手段具有极高的抗篡改性。该半导体器件具有多层布线结构，使用上层的布线层配置即使被解析也不会造成麻烦的信号布线，使得其遮盖下层的布线层，重要的布线配置在下层的布线层。另外，遮盖扩散分离层地在最下层的金属布线层，以制造上允许的微细布线节距进行布线，为了通过从背面进行的FIB加工到达要解析的目标布线，就必须切断防御布线。还包括使某种信号、或者电压或电流流过防御布线，监视防御布线的电特性，在捕捉到由于对防御布线的剥离、切断、篡改而造成电特性和物理特性的变化时，清除半导体器件内的机密信息、或者将半导体器件转换为固定模式的装置。