半导体器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
能够简化具有表面电极的半导体器件的结构。在半导体器件(100)中，可焊接的金属Cu被用于栅电极(101)和源电极(104)。因此，与传统技术不同，没有必要在栅电极的上部上和源电极的上部上单独地形成附加的可焊接的金属层。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822367A
申请号 ：
CN200610007069.2
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高津纪男
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙志湧
优先权 ：
CN200610007069.2
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/482
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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