半导体装置
授权
摘要
本发明得到高压侧浮动补偿电压的负变动而产生的锁定破坏容量高的半导体装置。在p－衬底(200)顶面内形成n型杂质区(121)。在n型杂质区(121)顶面内形成p阱(131)。另外，在n型杂质区(121)顶面内形成p+型源极区(126)和p+型漏极区(122)。在p阱(131)顶面内形成n+型漏极区(137)和n+型源极区(133)。在p－衬底(200)内形成比n型杂质区(121)更高浓度的n+埋入层(20)。n+埋入层(20)与n型杂质区(121)的底面相接，且形成得比n型杂质区(121)更深。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783495A
申请号 ：
CN200510118896.4
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
幡手一成
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200510118896.4
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2008-10-15 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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