半导体装置
授权
摘要
一种半导体装置，其能够防止从阅读器/记录器传输的电磁波的振幅的减小并且能够防止由于磁场变化而造成的元件形成层的加热。本发明的半导体装置具有在基材上形成的元件形成层，和连接到元件形成层的天线。元件形成层至少具有导线，如电源导线和接地导线，其以非环形排列。可以提供元件形成层和天线以便彼此至少部分重叠。天线可以在元件形成层之上或之下提供。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088158A
申请号 ：
CN200580044835.6
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加藤清守屋芳隆
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
庞立志
优先权 ：
CN200580044835.6
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/04 G06K19/07 G06K19/077
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2010-06-23 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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