半导体装置、车载用半导体装置以及车载控制装置

授权

摘要

本发明提供了一种能够抑制有源元件的温度上升的车载用半导体装置。一种车载用半导体装置，包括：半导体基板；多个有源元件，它们在半导体基板上形成；多个沟槽，它们包围并绝缘隔离多个有源元件；以及端子，其用于将被多个沟槽中的不同沟槽绝缘隔离的多个有源元件并联连接并与外部连接。

基本信息

专利标题：

半导体装置、车载用半导体装置以及车载控制装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108028226A

申请号：

CN201680050965.9

公开（公告）日：

2018-05-11

申请日：

2016-08-02

授权号：

CN108028226B

授权日：

2022-06-14

发明人：

大岛隆文和田真一郎池谷克己米田浩志

申请人：

日立汽车系统株式会社

申请人地址：

日本茨城县

代理机构：

上海华诚知识产权代理有限公司

代理人：

肖华

优先权：

CN201680050965.9

主分类号：

H01L21/822

IPC分类号：

H01L21/822 H01L21/336 H01L21/76 H01L21/82 H01L27/04 H01L29/786

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

法律状态

2022-06-14 ：

授权

2021-09-28 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 21/822
变更事项 : 申请人
变更前 : 日立汽车系统株式会社
变更后 : 日立安斯泰莫株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本茨城县
变更后 : 日本茨城县

2018-06-05 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20160802

2018-05-11 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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