半导体装置
授权
摘要
面朝下安装芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备具有第1电极(11)、第2电极(21)、对第1电极(11)与第2电极(21)之间的导通状态进行控制的控制电极(55)的晶体管元件(100)以及多个第1电阻元件(110)，多个第1电阻元件(110)的一方的电极均与第2电极(21)电连接，半导体装置(1)具有一个以上的外部电阻端子(30)、与第1电极(11)电连接的外部第1端子(10)、与控制电极(55)电连接的外部控制端子(40)，多个第1电阻元件(110)的另一方的电极均与一个以上的外部电阻端子(30)中的任一个接触连接，一个以上的外部电阻端子(30)、外部第1端子(10)、外部控制端子(40)是被形成在半导体装置(1)的表面的外部连接端子。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111684582A
申请号 ：
CN201980011546.8
公开（公告）日 ：
2020-09-18
申请日 ：
2019-01-25
授权号 ：
CN111684582B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
吉田一磨大河亮介井上翼
申请人 ：
松下半导体解决方案株式会社
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN201980011546.8
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01C1/08 H01C13/00 H01L21/60 H01L21/82 H01L27/04 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-02-26 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/822
变更事项 : 申请人
变更前 : 松下半导体解决方案株式会社
变更后 : 新唐科技日本株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本京都府
变更后 : 日本京都府
变更事项 : 申请人
变更前 : 松下半导体解决方案株式会社
变更后 : 新唐科技日本株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本京都府
变更后 : 日本京都府
2020-10-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20190125
申请日 : 20190125
2020-09-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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