半导体装置及半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的RF用开关的场效应晶体管。此半导体装置(1)，在半导体基板(10)上备有包含具有异质结的半导体层而层叠的半导体层，在其由元件分离区(25)划分的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管(5)，上述元件分离区(25)由导入导电杂质的层构成，在上述元件分离区(25)上，在上述场效应晶体管(5)的周围的至少一部分上述元件分离区(25)表面上，形成有施加正电压的电极(28)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819265A
申请号 ：
CN200610006359.5
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小野寺孝二中村光宏西田知矢
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
岳耀锋
优先权 ：
CN200610006359.5
主分类号 ：
H01L29/772
IPC分类号 ：
H01L29/772 H01L27/04 H01L21/335 H01L21/822
法律状态
2017-03-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101706175715
IPC(主分类) : H01L 29/772
专利号 : ZL2006100063595
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20160117
号牌文件序号 : 101706175715
IPC(主分类) : H01L 29/772
专利号 : ZL2006100063595
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20160117
2009-08-05 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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