半导体装置
实质审查的生效
摘要
半导体装置(1)具备：半导体材料的基材(11)，其呈薄板状；表面电极(13)，其配置于基材(11)的表面(11ff)；背面电极(17)，其覆盖基材(11)的背面(11fr)；以及过孔(1h)，其呈将表面电极(13)作为底且在背面(11fr)侧开口的孔状，并将表面电极(13)与背面电极(17)电连接，在背面(11fr)侧的周缘部配置有沿厚度方向突出的突出部(1p)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270496A
申请号 ：
CN201980098431.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
北野俊明
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭忠健
优先权 ：
CN201980098431.7
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/52 H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20190830
申请日 : 20190830
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
